大功率器件專用氮化鎵單晶襯底dǐ

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

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4英寸自支撐氮化鎵晶片piàn（非摻càn）

規格gé：GaN-FS-C-U-C100 尺寸cùn：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度dù：650 ± 50 μm 電阻率lǜ(300k)：< 0.5 Ω*cm

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4英寸自支撐氮化鎵晶片piàn（鐵摻càn）

規格gé：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸cùn：Ф 100 ±1 mm 厚度dù：420 ±50μm 電阻率lǜ(300k)：>1×10⁹Ω*cm

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2英寸自支撐氮化鎵晶片piàn（非摻càn）

規格gé：GaN-FS-C-U-C50 尺寸cùn：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度dù：350 ± 25 μm 電阻率lǜ(300k)：< 0.5 Ω*cm

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4英寸自支撐氮化鎵晶片piàn（非摻càn）

規格gé：GaN-FS-C-U-C100 尺寸cùn：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度dù：650 ± 50 μm 電阻率lǜ(300k)：< 0.5 Ω*cm

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4英寸自支撐氮化鎵晶片piàn（鐵摻càn）

規格gé：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸cùn：Ф 100 ±1 mm 厚度dù：420 ±50μm 電阻率lǜ(300k)：>1×10⁹Ω*cm

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規格gé：GaN-FS-C-U-C50 尺寸cùn：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度dù：350 ± 25 μm 電阻率lǜ(300k)：< 0.5 Ω*cm

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專業的高質量氮化鎵襯底供應商shāng

蘇州zhōu四虎视频有限公司致力於第三代半導體核心關鍵材料liào——氮化鎵jiā（GaN）單晶襯底的研發與產業化huà，經過guò15年努力lì，實現了le2英寸氮化鎵單晶襯底的生產chǎn、完成了le4英寸產品的工程化技術開發fā、突破了le6英寸的關鍵技術shù，現在是國內和國際少數幾家之一能夠批量提供gōng2英寸氮化鎵單晶產品的單位wèi；氮化鎵產品性能綜合指標國際領先xiān，未來lái3年重點實現將技術先發優勢shì轉化爲在全球的市場優勢。

蘇州zhōu四虎视频有限公司成立於yú2007年nián，專注於高質量氮化鎵半導體單晶材料的生長zhǎng。氮化鎵是第三代半導體的代表biǎo，它是節能照明míng、激光投影顯示shì、智能電網wǎng、新能源汽車chē、5G通信等產業的核心基礎材料liào，預計到未來將形成萬億美元以上的市場規模mó。

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專業的高質量氮化鎵襯底供應商shāng

蘇州zhōu四虎视频有限公司成立於yú2007年nián，專注於高質量氮化鎵半導體單晶材料的生長zhǎng。氮化鎵是第三代半導體的代表biǎo，它是節能照明míng、激光投影顯示shì、智能電網wǎng、新能源汽車chē、5G通信等產業的核心基礎材料liào，預計到dào2025年將形成萬億美元以上的市場規模mó。